• MBD770DWT1G RFダイオード ショットキー - 2 独立 70V 100 mA 380 mW
MBD770DWT1G RFダイオード ショットキー - 2 独立 70V 100 mA 380 mW

MBD770DWT1G RFダイオード ショットキー - 2 独立 70V 100 mA 380 mW

商品の詳細:

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モデル番号: MBD770DWT1G

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詳細情報

ダイオードのタイプ: ショットキー- 2独立者 電圧-ピーク逆(最高): 70V
現在-最高: 100 mA 容量 @ Vr, F: 1pF @ 20V、1MHz
電力損失(最高): 380 MW 動作温度: -55°C | 150°C (TJ)

製品の説明

MBD770DWT1G RFダイオード ショットキー - 2 独立 70V 100 mA 380 mW
 
仕様 MBD770DWT1G

 

タイプ 記述
カテゴリー 離散半導体製品
  ダイオード
  RFダイオード
Mfr 一半
シリーズ -
パッケージ テープ&ロール (TR)
  切断テープ (CT)
ダイオードタイプ スコットキー - 2 独立
電圧 - ピーク逆転 (最大) 70V
電流 - マックス 100mA
容量 @ Vr, F 1pF @ 20V, 1MHz
抵抗 @ If, F -
電力消耗 (最大) 380 mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
供給者のデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
基本製品番号 MBD770

 
MBD770DWT1Gの特徴


• 非常 に 速い 切り替え 速度
• 前向き の 低 電圧
• AEC資格とPPAP資格
• NSV前記は,ユニークなサイトと制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション用
• これらのデバイスは,Pb−フリー,ハロゲンフリー/BFRフリーで,RoHS対応*
 
詳細についてMBD770DWT1G

 


このショットキーバリアダイオードは,高速スイッチ,回路保護,電圧クランプのアプリケーション用に設計されています.非常に低圧前向き電圧は伝導損失を軽減します.スペースが限られている手持ちおよび携帯アプリケーションのためのミニチュア表面マウントパッケージは,優れた.

 

 

 


環境と輸出分類MBD770DWT1G
 

ATRIBUTE について 記述
RoHS 状態 ROHS3 に準拠
湿度感度レベル (MSL) 1 (無制限)
REACH ステータス REACH 影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

 
MBD770DWT1G RFダイオード ショットキー - 2 独立 70V 100 mA 380 mW 0
 

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