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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 20V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 5.2A (Ta) | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 2.5V、4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 30mOhm @ 5.2A,4.5V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 600mV @ 250μA (分) |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 18 NC @ 4.5ボルト | Vgs (最大): | ±12V |
| ハイライト: | NTHS5404T1G NチャネルMOSFET,表面マウント NチャネルMOSFET,NチャネルMOSFET 20V 5.2A |
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製品の説明
NSVT45010MW6T1G 双極トランジスタ配列2 PNP (ダブル) 45V 100mA 100MHz 380mW
仕様 NT1医療法
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 2.5V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.2A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 600mV @ 250μA (分) |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±12V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 1.3W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | チップFETTM |
| パッケージ/ケース | 8-SMD,平面鉛 |
| 基本製品番号 | NTHS5404 |
特徴 NT1医療法
低RDS (オン) より高効率
• ロジックレベルゲートドライブ
• ミニチュア ChipFET 表面マウント パッケージ 板のスペースを節約
• Pb−フリー パッケージが利用可能
詳細について NT1医療法
携帯および電池駆動製品における電力管理,すなわち,セルラーおよび無線電話およびPCMCIAカード
環境と輸出分類NT1医療法
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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