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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 14A （Ta） | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 9.4mOhm @ 30A、10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 15.2 nC @ 10V | Vgs (最大): | ±20V |
| ハイライト: | NVTFS4C13NWFTAG NチャネルMOSFET,8-WDFN Nチャネル MOSFET,NVTFS4C13NWFTAG |
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製品の説明
NVTFS4C13NWFTAG Nチャンネル 30V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) 表面マウント 8-WDFN
仕様 NVTFS4C13NWFTAG
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q101 |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.1V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 15.2 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 770 pF @ 15 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 3W (Ta),26W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| 基本製品番号 | NVTFS4 |
特徴 NVTFS4C13NWFTAG
• 低RDS (オン) で導電損失を最小限に抑える
• 運転 者 の 損失 を 最小 に する ため の 低 容量
• 切り替える損失を最小限にするために最適化されたゲート充電
●NVTFS4C13NWF − 濡れる側面製品
自動車および他のアプリケーションのためのNVTプレフィックス ユニークなサイトおよび制御変更要件を必要とする; AEC−Q101合格およびPPAP対応
• これらのデバイスは,Pb−フリー,ハロゲンフリー/BFRフリーで,RoHS対応です.
環境と輸出分類NVTFS4C13NWFTAG
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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