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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 60V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 2.6A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 144mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 4nC @ 10V |
| ハイライト: | SOT-23-3 NチャネルMOSFET,SI2308CDS-T1-GE3 NチャネルMOSFET,表面マウント NチャネルMOSFET |
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製品の説明
SI2308CDS-T1-GE3 Nチャネル 60 V 2.6A 1.6W 表面マウント SOT-23-3
仕様 SI2308CDS-T1-GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® Gen IV |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 4nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 105 pF @ 30 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 1.6W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 基本製品番号 | SI2308 |
特徴 SI2308CDS-T1-GE3
•TrenchFET® Gen IV パワー MOSFET
• 100% Rg 検査
適用する SI2308CDS-T1-GE3
• バッテリー 交換
• DC/DC変換器
• 負荷スイッチ
環境と輸出分類SI2308CDS-T1-GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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