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詳細情報 |
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| FETタイプ: | P-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 14.9A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 12.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 86 NC @ 10ボルト |
製品の説明
SI4825DDY-T1-GE3 Pチャンネル 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) 表面マウント 8-SOIC
仕様 試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象である.
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 14.9A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±25V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2550 pF @ 15 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 2.7W (Ta),5W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 基本製品番号 | SI4825 |
環境と輸出分類試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象である.
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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