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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 600V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.7V @ 5mA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 360 nC @ 10 V |
製品の説明
TK100L60W Nチャネル 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) 穴を通ってTO-3P ((L))
仕様 TK100L60W
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | トシバ半導体および貯蔵 |
| シリーズ | DTMOSIV |
| パッケージ | トューブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 600V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±30V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 797W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 穴を抜ける |
| 供給者のデバイスパッケージ | TO-3P (L) |
| パッケージ/ケース | TO-3PL |
| 基本製品番号 | TK100L60 |
特徴 TK100L60W
(1) 低排水源オン抵抗: RDS ((ON) = 0.015 Ω (典型的には) 超ジャンクション構造に使用される: DTMOS
(2) ゲート 切り替え を 簡単に 制御 する
(3) 強化モード:Vth=2.7〜3.7V (VDS=10V,ID=5mA)
適用する TK100L60W
スイッチする電圧調節器
環境と輸出分類TK100L60W
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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