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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 40V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 120A （Tc） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 1.1mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 67 nC @ 10 V |
製品の説明
STL285N4F7AG Nチャンネル 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) 表面マウント パワーフラットTM (5x6)
仕様 STL285N4F7AG
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | STMマイクロ電子機器 |
| シリーズ | STripFETTM F7 |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5600 pF @ 25V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 188W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | パワーフラットTM (5x6) |
| パッケージ/ケース | 8-パワーVDFN |
| 基本製品番号 | STL285 |
環境と輸出分類STL285N4F7AG
| ATRIBUTE の記述 | |
| RoHS 状態 ROHS3 適合 | |
| 湿度感度レベル (MSL) 1 (無制限) | |
| REACH 状態 REACH 影響を受けない | |
| ECCN EAR99 | |
| HTSUS 8541 について29.0095 |
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