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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.8V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 68 NC @ 10ボルト |
| Vgs (最大): | ±20V | 電力損失（最高）: | 3.1W (Ta),125W (Tc) |
| ハイライト: | CSD17576Q5B NチャネルICチップ,100A CSD17576Q5B NチャネルICチップ,3.1W CSD17576Q5B NチャネルICチップ |
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製品の説明
CSD17576Q5B Nチャネル 30 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
仕様 CSD17576Q5B
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | テキサス・インストラクション |
| シリーズ | NexFETTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.8V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4430 pF @ 15 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 3.1W (Ta),125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-VSONP (5x6) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | CSD17576Q5 |
特徴CSD17576Q5B
低Qg と Qgd
低RDS (オン)
• 低熱耐性
• 雪崩 評価
• Pb フリー・ターミナル・プレート
• RoHS に 準拠 する
• ハロゲン 無料
• SON 5mm × 6mm プラスチックパッケージ
導入についてCSD17576Q5B
• ネットワーク,通信,およびコンピューティングシステムにおけるアプリケーションのためのポイント・オブ・ロード同期バック変換器
• 同期FETアプリケーションに最適化
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