|
詳細情報 |
|||
| 構成: | 2 N-Channel （二重） | FETの特徴: | ロジックレベルゲート,5Vドライブ |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 5A |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 32.4mOhm @ 4A, 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: | 6nC @ 10V | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 353pF @ 15V |
製品の説明
CSD87502Q2T モスフェット配列 30V 5A 2.3W 表面マウント 6-WSON (2x2)
仕様 CSD87502Q2T
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | テキサス・インストラクション |
| シリーズ | NexFETTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2 Nチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | ロジックレベルゲート,5Vドライブ |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 5A |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 353pF @ 15V |
| パワー - マックス | 2.3W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 6 WDFN 露出パッド |
| 供給者のデバイスパッケージ | 6つ目のWSON (2x2) |
| 基本製品番号 | CSD87502 |
CSD87502Q2Tの特徴
* 抵抗が低い
* 二重独立型MOSFET
*スペース節約 SON 2 x 2mm プラスチックパッケージ
* 5Vゲートドライバーに最適化
* 雪崩の評価
*Pbとハロゲンフリー
* RoHS 準拠
CSD87502Q2Tの適用について
* ネットワーク,通信,およびコンピューティングシステムにおけるアプリケーションのための点・オブ・ロード同期バック変換器
*ノートPCやタブレット用のアダプターまたはUSB入力保護
* バッテリー保護
この製品の詳細を知りたい